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10 kV, 39 mΩ·cm 2 Multi-Channel AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes
10kV,39m Ω·cm2多通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管
相关领域
光电子学
肖特基二极管
二极管
击穿电压
肖特基势垒
材料科学
物理
电压
量子力学
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其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Ming Xiao; Yunwei Ma; Kai Liu; Kai Cheng; Yuhao Zhang 出版日期:2021-04-30 |
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