Research on RF performance of GaN HEMT with graded Al composition AlGaN back-barrier

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标题	Research on RF performance of GaN HEMT with graded Al composition AlGaN back-barrier 梯度Al成分AlGaN后势垒GaN HEMT射频性能研究相关领域高电子迁移率晶体管材料科学光电子学宽禁带半导体工程物理电气工程晶体管物理工程类电压
网址	https://doi.org/10.1016/j.micrna.2024.208028
DOI	10.1016/j.micrna.2024.208028 doi
其它	期刊：Micro and Nanostructures 作者：R. Zhang; Fayu Wan; Ru Xu; Jie Xu; Runtao Song; et al 出版日期：2024-11-01
求助人	紧张的怜寒在 2025-02-21 16:29:35 发布自广东，悬赏 10 积分
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