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 Nitrogen-doped Ga2O3 current blocking layer using MOCVD homoepitaxy for high-voltage and low-leakage Ga2O3 vertical device fabrication 用于高压低泄漏Ga2O3垂直器件制造的MOCVD同质外延氮掺杂Ga2O3电流阻挡层
相关领域
金属有机气相外延
材料科学
制作
光电子学
兴奋剂
泄漏（经济）
氮气
宽禁带半导体
图层（电子）
化学气相沉积
纳米技术
化学
外延
医学
替代医学
有机化学
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经济
宏观经济学
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