Realizing High Stability of Threshold Voltage in NiO/β-Ga2O3 Heterojunction-Gate FET Operating up to 200 °C by Electrothermal Aging Technology

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标题	Realizing High Stability of Threshold Voltage in NiO/β-Ga2O3 Heterojunction-Gate FET Operating up to 200 °C by Electrothermal Aging Technology 利用电热老化技术实现NiO/β-Ga2O3异质结栅场效应晶体管阈值电压的高稳定性相关领域异质结非阻塞I/O 阈值电压光电子学材料科学电压工程物理电气工程电子工程晶体管化学工程类生物化学催化作用
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2024.3359158
DOI	10.1109/ted.2024.3359158 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhuolin Jiang; Hongru Deng; Xuanze Zhou; Xiangnan Li; Yuxi Wei; et al 出版日期：2024-02-08
求助人	稳重茹嫣在 2025-02-17 11:18:52 发布自山东，悬赏 10 积分
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