Ultra-low turn-on voltage (0.37 V) vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode via oxygen plasma treatment

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标题	Ultra-low turn-on voltage (0.37 V) vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode via oxygen plasma treatment 通过氧等离子体处理的超低导通电压（0.37 V）垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管相关领域材料科学光电子学宽禁带半导体肖特基势垒二极管氮化镓击穿电压肖特基二极管发光二极管电压纳米技术电气工程图层（电子）工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0171406
DOI	10.1063/5.0171406 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Junye Wu; Zeliang Liao; Haofan Wang; Zou Ping; Renqiang Zhu; et al 出版日期：2023-11-20
求助人	xde的玩偶在 2024-09-30 18:08:50 发布自山东，悬赏 10 积分
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