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 Low temperature, solution-processed ambipolar field-effect transistors based on polymer/self-assembled monolayer modified InOx hybrid structures for balanced hole and electron mobilities exceeding 1 cm2 V−1 s−1 基于聚合物/自组装单层改性InOx杂化结构的低温溶液处理双极场效应晶体管，用于超过1 cm2 V−1 s−1的平衡空穴和电子迁移率
相关领域
材料科学
双极扩散
光电子学
双层
电子迁移率
单层
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铟
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薄膜晶体管
纳米技术
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期刊：Organic Electronics 作者：Sheng Sun; Yuzhi Li; Linfeng Lan; Peng Xiao; Zhenhui Chen; et al 出版日期：2017-01-19 |
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