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 Normally-Off p-GaN Gated AlGaN/GaN MIS-HEMTs with ALD-Grown Al2O3/AlN Composite Gate Insulator 具有ALD生长的Al2O3/AlN复合栅极绝缘体的常闭p-GaN栅极AlGaN/GaN MIS-HEMT
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期刊：Membranes 作者：Hsien‐Chin Chiu; Chia-Hao Liu; Chong-Rong Huang; Chi-Chuan Chiu; Hsiang-Chun Wang; et al 出版日期：2021-09-23 |
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