| 标题 |
[高分]
 Effects of substrate nitridation time on the thermal properties of GaN films grown on silicon by molecular beam epitaxy 衬底氮化时间对分子束外延GaN薄膜热性能的影响
相关领域
分子束外延
硅
基质（水族馆）
材料科学
光电子学
外延
热的
纳米技术
图层（电子）
物理
海洋学
地质学
气象学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal de physique 作者：M. Cervantes-Contreras; M. López-López; G. González de la Cruz; P. Rodríguez; M. Tamura; et al 出版日期：2005-06-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
爱静静
随机子
寻道图强
tuanheqi
梁朝伟
Meredith
嗯哼
一杯茶
杳鸢
shinysparrow
张子捷
Puan
kento
xiaojcom
吃不饱星球球长
Zinc
暗冰不冻
8R60d8
贰鸟
健壮的怜烟
皖公网安备34019202002308
