Dual-Level Enhanced Nonradiative Carrier Recombination in Wide-Gap Semiconductors: The Case of Oxygen Vacancy in SiO2

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标题	Dual-Level Enhanced Nonradiative Carrier Recombination in Wide-Gap Semiconductors: The Case of Oxygen Vacancy in SiO2 宽能隙半导体中的双能级增强非辐射载流子复合：SiO2中氧空位的情况相关领域半导体化学重组亚稳态带隙载流子电子赝势原子物理学空位缺陷化学物理分子物理学光电子学材料科学物理结晶学核物理学生物化学有机化学基因
网址	https://doi.org/10.1021/jacs.3c09808
DOI	10.1021/jacs.3c09808 doi
求助人	米粥饭在 2024-03-05 17:59:16 发布自河南，悬赏 10 积分
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