| 标题 |
Preface: Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-Based CMOS 4: New Materials, Processes, and Equipment
前言：硅基CMOS的先进栅堆叠、源/漏和沟道工程4：新材料、工艺和设备
相关领域
CMOS芯片
工程物理
微电子
电气工程
应变工程
金属浇口
工程类
纳米技术
晶体管
材料科学
光电子学
硅
栅氧化层
电压
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| 网址 | |
| DOI |
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| 其它 |
期刊： 作者：PJ Timans; D. L. Kwong; Hiroshi Iwai; E. P. Gusev; F. Roozeboom; et al 出版日期：2008-11-13 |
| 求助人 | |
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