| 标题 |
 SiC IGBT degradation mechanism investigation under HV-H3TRB tests HV-H3TRB试验下SiC IGBT降解机理研究
相关领域
钝化
材料科学
碳化硅
光电子学
湿度
绝缘栅双极晶体管
栅氧化层
击穿电压
电气工程
电压
晶体管
复合材料
图层（电子）
工程类
物理
热力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
含蓄的明雪
苏卿
哎嘿
暮霭沉沉
pcr163
互助遵法尚德
iNk
吃不饱星球球长
薰硝壤
乐乐乐乐乐乐
从容芮
彭于彦祖
HEIKU
Yziii
shinysparrow
Henry
tuanheqi
加湿器
Loooong
皖公网安备34019202002308
