Bilayer tungsten diselenide transistors with on-state currents exceeding 1.5 milliamperes per micrometre

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标题	Bilayer tungsten diselenide transistors with on-state currents exceeding 1.5 milliamperes per micrometre 导通电流超过每微米1.5毫安的双层二硒化钨晶体管相关领域二硒化钨材料科学晶体管半导体硅范德瓦尔斯力光电子学钒双层钨电压过渡金属化学电气工程生物化学有机化学膜分子冶金工程类催化作用
网址	https://doi.org/10.1038/s41928-022-00800-3
DOI	10.1038/s41928-022-00800-3 doi
其它	期刊：Nature electronics 作者：Ruixia Wu; Quanyang Tao; Jia Li; Wei Li; Yang Chen; et al 出版日期：2022-08-08
求助人	xhtt 在 2024-08-29 13:55:56 发布自江苏，悬赏 10 积分
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