Optoelectronic Neuromorphic Logic Memory Device Based on Ga2O3/MoS2 Van der Waals Heterostructure with High Rectification and On/Off Ratios

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标题	Optoelectronic Neuromorphic Logic Memory Device Based on Ga2O3/MoS2 Van der Waals Heterostructure with High Rectification and On/Off Ratios 基于Ga2O3/MoS2范德华异质结构的高整流和开/关比光电神经形态逻辑存储器件
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202408978
DOI	10.1002/adfm.202408978 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Yao Zhang; Wei Liu; Kai Liu; Runzhi Wang; Jiaqi Yu; et al 出版日期：2024
求助人	渊山在 2024-08-02 09:49:34 发布自浙江，悬赏 10 积分
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