| 标题 |
 Channel-Shortening Effect Suppression of a High-Mobility Self-Aligned Oxide TFT Using Trench Structure 采用沟槽结构抑制高迁移率自对准氧化物TFT沟道缩短效应
相关领域
薄膜晶体管
沟槽
退火（玻璃）
材料科学
平面的
晶体管
光电子学
频道（广播）
电气工程
计算机科学
纳米技术
复合材料
工程类
电压
计算机图形学（图像）
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Junsung Kim; Do‐Hyung Kim; Seong‐In Cho; Seung Hee Lee; Wooseok Jeong; et al 出版日期：2021-12-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
pluto
jevon
8R60d8
VDC
一一
tuanheqi
pcr163
HCLonely
杳鸢
彭于彦祖
buno
Endlessway
36456657
嗯哼
maox1aoxin
Henry
乐乐乐乐乐乐
猫咪老师
Frank
皖公网安备34019202002308
