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 Improved Responsivity Drop From 250 to 200 nm in Sputtered Gallium Oxide Photodetectors by Incorporating Trace Aluminum 掺入微量铝改善溅射氧化镓光电探测器从250到200 nm的响应度下降
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Shuo‐Huang Yuan; Chao-Chun Wang; Shiau‐Yuan Huang; Dong Sing Wuu 出版日期：2018-02-01 |
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