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标题
Unraveling the role of post-annealing in IGZO transistor for memory applications
揭示后退火在IGZO晶体管存储器应用中的作用
相关领域
晶体管 退火（玻璃） 材料科学 光电子学 纳米技术 薄膜晶体管 工程物理 物理 电气工程 工程类 复合材料 电压 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1016/j.mee.2025.112322
DOI
10.1016/j.mee.2025.112322 doi
其它 期刊：Microelectronic Engineering
作者：Nayeon Kim; Jiae Jeong; Jae Wook Lee; Jiyong Woo
出版日期：2025-01-01
求助人
英俊谷秋 在 2025-02-07 13:14:51 发布自江苏，悬赏 10 积分
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