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 A Novel AlGaN/GaN-Based Schottky Barrier Diode With Partial P-GaN Cap Layer and Semicircular T-Anode for Temperature Sensors 用于温度传感器的新型AlGaN/GaN基部分P-GaN覆盖层和半圆形T型阳极肖特基势垒二极管
相关领域
材料科学
光电子学
氮化镓
肖特基势垒
肖特基二极管
二极管
阳极
宽禁带半导体
阻挡层
异质结
阈下传导
晶体管
图层（电子）
电压
电气工程
电极
纳米技术
化学
工程类
物理化学
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhaoheng Yan; Song Yuan; Xi Jiang; Chaofan Deng; Zhenjiang Pang; et al 出版日期：2023-08-30 |
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