Contact‐Barrier Free, High Mobility, Dual‐Gated Junctionless Transistor Using Tellurium Nanowire

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标题	Contact‐Barrier Free, High Mobility, Dual‐Gated Junctionless Transistor Using Tellurium Nanowire 使用碲纳米线的无接触势垒、高迁移率、双栅无结晶体管相关领域材料科学纳米线光电子学电子迁移率晶体管碲悬空债券肖特基势垒纳米技术场效应晶体管硅电气工程电压二极管工程类冶金
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202006278
DOI	10.1002/adfm.202006278 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Pushkar Dasika; Debadarshini Samantaray; M. Krishna; Nithin S. Abraham; Kenji Watanbe; et al 出版日期：2021-01-15
求助人	现代的健柏在 2024-11-25 10:02:49 发布自广东，悬赏 10 积分
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