Defect stability and electronic structure of doped β-Ga2O3: A comprehensive ab initio study

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标题	Defect stability and electronic structure of doped β-Ga2O3: A comprehensive ab initio study 掺杂β-Ga2O3的缺陷稳定性和电子结构：从头算研究相关领域空位缺陷掺杂剂 Atom（片上系统）兴奋剂从头算弗伦克尔缺陷间质缺损材料科学结晶学晶体缺陷从头算量子化学方法电子结构镓半导体化学计算化学分子光电子学冶金有机化学嵌入式系统计算机科学
网址	https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.04.253
DOI	10.1016/j.jallcom.2019.04.253 doi
其它	期刊：Journal of Alloys and Compounds 作者：Dan Sun; Yinlu Gao; Xue Jiang; Jijun Zhao 出版日期：2019-07-01
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