Electronic Properties of Group-III Nitride Semiconductors and Device Structures Probed by THz Optical Hall Effect

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标题	Electronic Properties of Group-III Nitride Semiconductors and Device Structures Probed by THz Optical Hall Effect 用THz光学霍尔效应探测III族氮化物半导体和器件结构的电子性质相关领域材料科学光电子学半导体电子迁移率异质结太赫兹辐射高电子迁移率晶体管氮化物霍尔效应有效质量（弹簧-质量系统）场效应晶体管电介质晶体管纳米技术磁场物理电压量子力学图层（电子）
网址	https://www.mdpi.com/1996-1944/17/13/3343/pdf?version=172018...
DOI	10.3390/ma17133343 doi
其它	期刊：Materials 作者：Nerijus Armakavicius; Philipp Kühne; Alexis Papamichail; Hengfang Zhang; Sean Knight; et al 出版日期：2024-07-05
求助人	诚心的金毛在 2025-01-03 15:04:02 发布自北京，悬赏 10 积分
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