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 Design of a wideband, 4 – 42.5 GHz Low Noise Amplifier in 0.25 µm GaAs pHEMT Technology 采用0.25 µm GaAspAMPS技术设计宽带、4 - 42.5 GHz低噪音放大器
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期刊： 作者：Mantas Sakalas; P. Sakalas 出版日期：2020-11-16 |
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