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 High-mobility p-channel wide-bandgap transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures 基于氢端接金刚石/六方氮化硼异质结构的高迁移率p沟道宽带隙晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
钻石
晶体管
带隙
异质结
宽禁带半导体
半导体
兴奋剂
电子迁移率
场效应晶体管
电压
电气工程
工程类
复合材料
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| 其它 |
期刊：Nature electronics 作者：Yosuke Sasama; Taisuke Kageura; Masataka Imura; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; et al 出版日期：2021-12-23 |
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