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 Defect-selective-etched porous GaN as a buffer layer for high efficiency InGaN/GaN light-emitting diodes 缺陷选择性蚀刻多孔GaN作为高效InGaN/GaN发光二极管的缓冲层
相关领域
材料科学
发光二极管
光电子学
量子效率
光致发光
图层（电子）
宽禁带半导体
二极管
氮化镓
应力松弛
缓冲器（光纤）
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压力（语言学）
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期刊：PLOS ONE 作者：Ah Hyun Park; Seungjae Baek; Young Won Kim; S. Chandramohan; Eun-Kyung Suh; et al 出版日期：2022-11-17 |
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