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 Plasma-enhanced atomic layer deposition of silicon nitride thin films with different substrate biasing using Diiodosilane precursor 二碘硅烷前驱体不同衬底偏压等离子体增强原子层沉积氮化硅薄膜
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Mohammed Zeghouane; Gauthier Lefèvre; S. Labau; Mohammed-Bilal Hachemi; F. Bassani; et al 出版日期：2024-12-01 |
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