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The New CoolSiC™ Trench MOSFET Technology for Low Gate Oxide Stress and High Performance
新型CoolSic™沟道MOS技术，可实现低栅氧化物压力和高性能
相关领域
MOSFET
可靠性（半导体）
材料科学
绝缘栅双极晶体管
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期刊： 作者：Dethard Peters; Thomas Basler; Bernd Zippelius; Thomas Aichinger; Wolfgang Bergner; et al 出版日期：2017-05-16 |
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