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![]() 机械单轴应力对4 H-Si(0001)横向金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移率提高
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Wakana Takeuchi; Katsuhiro Kutsuki; Eiji Kagoshima; Toru Onishi; Shinya Iwasaki; et al 出版日期:2020-02-07 |
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