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 Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN-on-silicon high electron mobility transistors 600K硅上GaN高电子迁移率晶体管击穿电压高于2000V
相关领域
材料科学
光电子学
击穿电压
晶体管
基质（水族馆）
硅
高压
电压
功率半导体器件
阈值电压
电气工程
工程类
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地质学
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Nicolas Herbecq; Isabelle Roch‐Jeune; Astrid Linge; Malek Zegaoui; Pierre-Olivier Jeannin; et al 出版日期：2016-01-08 |
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