Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN-on-silicon high electron mobility transistors

已完结

文献求助详情

标题	Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN-on-silicon high electron mobility transistors 600K硅上GaN高电子迁移率晶体管击穿电压高于2000V 相关领域材料科学光电子学击穿电压晶体管基质（水族馆）硅高压电压功率半导体器件阈值电压电气工程工程类海洋学地质学
网址	https://doi.org/10.1002/pssa.201532572
DOI	10.1002/pssa.201532572 doi
其它	期刊：physica status solidi (a) 作者：Nicolas Herbecq; Isabelle Roch‐Jeune; Astrid Linge; Malek Zegaoui; Pierre-Olivier Jeannin; et al 出版日期：2016-01-08
求助人	yyru 在 2024-08-31 11:24:48 发布自江苏，悬赏 10 积分
下载	该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。
	温馨提示：该文献已被科研通学术中心收录，前往查看科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。

上个求助

下个求助

该求助已完结，感谢关注

如需该文献，请重新发布求助，前往发布

有了科研通，下载文献真轻松！

请遵守相关知识产权规定，勿将文件分享给他人，仅可用于个人研究学习

我的文献求助列表浏览历史

一分钟了解求助规则 | 捐赠本站 | 历史今天

更新

2024年影响因子查询已上线 (2024-6-20)

更新

大幅提高文件上传限制，最高150M (2024-4-1)

科研通是完全免费的文献互助平台，具备全网最快的应助速度，最高的求助完成率。对每一个文献求助，科研通都将尽心尽力，给求助人一个满意的交代。

实时播报: Ann1203发布了新的文献求助10

3秒前; Ally上传了应助文件

4秒前; 年年有余完成签到，获得积分10

7秒前; 机智若云完成签到，获得积分10

20秒前; 豆子上传了应助文件

27秒前; 憨厚的窝瓜完成签到，获得积分10

32秒前; 乐乐的应助被Tirachen采纳，获得10

46秒前; 天天快乐上传了应助文件

54秒前; 萧水白的应助被Tirachen采纳，获得10

57秒前; Gllj发布了新的文献求助10

1分钟前; Ally上传了应助文件

1分钟前; 烟花的应助被十三月的过客采纳，获得10

1分钟前; 廖先生完成签到，获得积分10

1分钟前; 烟花上传了应助文件

1分钟前; Tirachen完成签到，获得积分10

1分钟前; 十三月的过客发布了新的文献求助10

1分钟前; 魔幻的妖丽完成签到，获得积分10

1分钟前; 星辰大海上传了应助文件

1分钟前; ET发布了新的文献求助10

2分钟前; recardo发布了新的文献求助30

2分钟前; 豆子上传了应助文件

2分钟前; recardo完成签到，获得积分10

2分钟前; 豆子上传了应助文件

2分钟前; 田様上传了应助文件

2分钟前; 谢谢谢发布了新的文献求助10

2分钟前; 沾沾波发布了新的文献求助10

2分钟前; 万能图书馆的应助被lk1126采纳，获得10

3分钟前; 万能图书馆上传了应助文件

3分钟前; lk1126发布了新的文献求助10

3分钟前; 豆子上传了应助文件

3分钟前; 想不出来完成签到，获得积分10

3分钟前; 乐多完成签到，获得积分10

3分钟前; 小马甲的应助被科研通管家采纳，获得10

4分钟前; Yuuuu完成签到，获得积分10

4分钟前; 汉堡包上传了应助文件

4分钟前; 美好乌龟完成签到，获得积分10

4分钟前; 耶豆完成签到，获得积分20

4分钟前; joy001发布了新的文献求助10

4分钟前; 豆子上传了应助文件

4分钟前; 张杠杠完成签到，获得积分10

4分钟前