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 Ferroelectric hafnium oxide: A CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories 铁电氧化铪：未来铁电存储器的CMOS兼容和高度可扩展方法
相关领域
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期刊：2013 IEEE International Electron Devices Meeting 作者：J. Muller; T. S. Boscke; S. Muller; E. Yurchuk; P. Polakowski; et al 出版日期：2014-02-01 |
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