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Use of a Purged FOUP to Improve H-Terminated Silicon Surface Stability Prior to Epitaxial Growth
在外延生长之前使用净化FOUP改善H-封端硅表面稳定性
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期刊:Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM) 作者:Kurt Wostyn; Dirk Rondas; Karine Kenis; Roger Loo; Andriy Hikavyy; et al 出版日期:2014-08-05 |
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