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 From Monolayer to Thin Film Engineered Bandgap in CVD Grown Bi2Se(3-x)Sx Topological Insulator Alloys CVD生长Bi2Se（3-x）Sx拓扑绝缘体合金中从单层到薄膜的带隙工程
相关领域
材料科学
拓扑绝缘体
带隙
单层
绝缘体（电）
薄膜
光电子学
凝聚态物理
纳米技术
物理
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期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Michal Poplinger; Dimitrios Kaltsas; Chen Stern; Pilkhaz Nanikashvili; Adi Levi; et al 出版日期：2024-01-01 |
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