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标题
Deep ultraviolet photodetectors based on p-Si/i-SiC/n-Ga2O3 heterojunction by inserting thin SiC barrier layer
基于p-Si/i-SiC/n-Ga2O3异质结的深紫外光探测器
相关领域
异质结 光电探测器 材料科学 光电子学 紫外线 分子束外延 退火（玻璃） 暗电流 外延 图层（电子） 纳米技术 复合材料
网址
https://doi.org/10.1007/s00339-016-0576-8
DOI
10.1007/s00339-016-0576-8 doi
其它 期刊：Applied Physics A
作者：Yuehua An; Yusong Zhi; Zhenping Wu; Wei Cui; Xiaolong Zhao; et al
出版日期：2016-11-21
求助人
季双洋 在 2025-04-01 10:08:21 发布自陕西，悬赏 10 积分
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