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 Cl 2 / BCl 3 / Ar plasma etching and in situ oxygen plasma treatment for leakage current suppression in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors Cl2/BCl3/Ar等离子体刻蚀和原位氧等离子体处理抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管漏电流
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Hyeongnam Kim; Michael L. Schuette; Wu Lu 出版日期：2011-05-01 |
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