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 Microstructure and electrical properties of nitrogen doped 3C–SiC thin films deposited using methyltrichlorosilane 甲基三氯氢硅沉积氮掺杂3C-SiC薄膜的微结构和电学性能
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：H K E Latha; A. Udayakumar; Virendra Prasad 出版日期：2014-01-14 |
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