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  Polarity control in double-gate, gate-all-around vertically stacked silicon nanowire FETs 双栅极、全栅极垂直堆叠硅纳米线场效应晶体管的极性控制
相关领域
双极扩散
晶体管
硅
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细胞
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期刊：International Electron Devices Meeting 作者：Michele De Marchi; Davide Sacchetto; Stefano Frache; J. Zhang; P.-E. Gaillardon; et al 出版日期：2012-12-01 |
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