标题 |
InN/InGaN complementary heterojunction-enhanced tunneling field-effect transistor with enhanced subthreshold swing and tunneling current
亚阈值摆幅和隧穿电流增强的InN/InGaN互补异质结增强隧穿场效应晶体管
相关领域
异质结
量子隧道
阈下摆动
材料科学
光电子学
晶体管
凝聚态物理
电压
阈值电压
物理
量子力学
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网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Superlattices and Microstructures 作者:Yue Peng; Genquan Han; Hongjuan Wang; Chunfu Zhang; Yan Liu; et al 出版日期:2016-03-11 |
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