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 Interface and electrical properties of buried InGaAs channel MOSFET with an InP barrier layer and Al 2 O 3 /HfO 2 /Al 2 O 3 gate dielectrics 具有InP势垒层和Al2O3/HfO2/Al2O3栅介质的掩埋InGaAs沟道MOSFET的界面和电学性质
相关领域
材料科学
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期刊：Applied Physics Express 作者：Li Yue; Chen Yonghe; Sun Tangyou; Fabi Zhang; Cao Mingmin; et al 出版日期：2020-01-01 |
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