标题 |
The effect of annealing on amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors
退火对非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的影响
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
退火(玻璃)
无定形固体
阈值电压
光电子学
薄脆饼
氧化物薄膜晶体管
晶体管
铟
栅极电介质
饱和电流
电介质
镓
分析化学(期刊)
电气工程
电压
纳米技术
冶金
化学
色谱法
有机化学
工程类
图层(电子)
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Thin Solid Films 作者:Hyeon-seok Bae; Jae-Hong Kwon; Seongpil Chang; Myung-Ho Chung; Tae-Yeon Oh; et al 出版日期:2010-03-26 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|