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 Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition Regrowth of Highly Doped n+ (In)GaN Source/Drain Layers for Radio Frequency Transistors 射频晶体管用高掺杂n+（In）GaN源/漏层的金属有机化学气相沉积再生
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Sourish Banerjee; Uthayasankaran Peralagu; A. Alian; Ming Zhao; H. Hahn; et al 出版日期：2024-06-02 |
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