Effects of gate bias on hot-carrier reliability in drain extended metal-oxide-semiconductor transistors

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标题	Effects of gate bias on hot-carrier reliability in drain extended metal-oxide-semiconductor transistors 栅极偏置对漏极扩展金属氧化物半导体晶体管热载流子可靠性的影响相关领域跨导材料科学光电子学排水诱导屏障降低负偏压温度不稳定性阈值电压场效应晶体管晶体管降级（电信）栅氧化层氧化物热载流子注入电压信道长度调制电气工程冶金工程类
网址	https://doi.org/10.1063/1.2374881
DOI	10.1063/1.2374881 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Kehuey Wu; J. F. Chen; Yan‐Kuin Su; J. R. Lee; Kaung-Wan Lin; et al 出版日期：2006-10-30
求助人	wisliudj 在 2024-10-27 22:52:35 发布自广东，悬赏 10 积分
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