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 Effects of the number of wells on the performance of green InGaN/GaN LEDs with V-shape pits grown on Si substrates 阱数对硅衬底上V形凹坑InGaN/GaN绿色LED性能的影响
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期刊：Superlattices and Microstructures 作者：Qingfeng Wu; Jianli Zhang; Chunlan Mo; Xiaolan Wang; Zhijue Quan; et al 出版日期：2017-12-07 |
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