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标题
GaN HEMTs with quaternary In0.05Al0.75Ga0.2N Schottky barrier layer
具有四元In0.05 Al 0.75 Ga 0.2 N肖特基势垒层的GaN HEMT
相关领域
材料科学 光电子学 肖特基二极管 肖特基势垒 阻挡层 晶体管 电导 薄脆饼 图层（电子） 振荡（细胞信号） 二极管 电气工程 纳米技术 化学 电压 物理 工程类 生物化学 凝聚态物理
网址
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.201532...
DOI
10.1002/pssa.201532566 doi
其它 期刊：physica status solidi (a)
作者：Ji Hyun Hwang; Se-Mi Kim; Jeong Min Woo; Sung-Min Hong; Jae-Hyung Jang
出版日期：2016-02-16
求助人
ZZZ 在 2024-11-29 10:22:49 发布自广东，悬赏 10 积分
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