标题 |
Effects of vacancy concentration on the edge dislocation motion in copper by atomic simulations
铜中空位浓度对边缘位错运动影响的原子模拟
相关领域
材料科学
铜
位错
空位缺陷
GSM演进的增强数据速率
运动(物理)
凝聚态物理
冶金
结晶学
复合材料
经典力学
物理
电信
化学
计算机科学
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期刊:Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering 作者:Wenjin Chen; Run Li; Songlin Yao; Wenjun Zhu; Xiaofan Li; et al 出版日期:2023-08-22 |
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