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 19.2 A 110mK 295µW 28nm FDSOI CMOS Quantum Integrated Circuit with a 2.8GHz Excitation and nA Current Sensing of an On-Chip Double Quantum Dot 19.2具有2.8 GHz激励和片上双量子点nA电流传感的110mK 295µW 28nm FDSOI CMOS量子集成电路
相关领域
量子位元
CMOS芯片
物理
光电子学
电子工程
量子计算机
量子
电气工程
炸薯条
绝缘体上的硅
量子点
硅
工程类
量子力学
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| 其它 |
期刊：2020 IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC) 作者：Loick Le Guevel; Gerard Billiot; Xavier Jehl; Silvano De Franceschi; Marcos Zurita; et al 出版日期：2020-04-14 |
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