| 标题 |
 NBTI and Irradiation Effects in P-Channel Power VDMOS Transistors P沟道功率VDMOS晶体管中的NBTI和辐照效应
相关领域
辐照
材料科学
光电子学
阈值电压
压力（语言学）
晶体管
功率半导体器件
电压
电气工程
物理
核物理学
工程类
语言学
哲学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：V. Davidović; Danijel Danković; Aleksandar Ilić; I. Manić; S. Golubović; et al 出版日期：2016-04-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
劲秉
杳鸢
pluto
xjcy
丰知然
yar
甜甜玫瑰
zoe666
shinysparrow
Lyncus
毛豆
个性的紫菜
彭于彦祖
带头大哥
坚强的广山
rosalieshi
pcr163
模糊中正
良辰
嗯哼
皖公网安备34019202002308
