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Monolayer nodal line semimetal AgTe as gate-reconfigurable ‘cold’ Ohmic contact to 2D semiconductors MoSi2N4 and WSi
单层节点线半金属AgTe作为2D半导体MoSi2N4和WSi的栅极可重构“冷”欧姆接触
相关领域
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期刊:Materials Today Electronics 作者:Tong Su; Yueyan Li; Weiwei Zhao; Liemao Cao; Yee Sin Ang 出版日期:2024-10-19 |
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