Ferroelectric Diodes with Sub-ns and Sub-fJ Switching and Its Programmable Network for Logic-in-Memory Applications

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标题	Ferroelectric Diodes with Sub-ns and Sub-fJ Switching and Its Programmable Network for Logic-in-Memory Applications 具有亚ns和亚fJ开关的铁电二极管及其用于存储器中逻辑应用的可编程网络相关领域神经形态工程学材料科学光电子学非易失性存储器逻辑门铁电性二极管可编程逻辑器件计算机科学电气工程电介质嵌入式系统工程类人工神经网络机器学习
网址	http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=9508712
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	期刊：Symposium on VLSI Technology 作者：Hagyoul Bae; Taehwan Moon; Seung Geol Nam; Kwanghee Lee; Sang‐Wook Kim; et al 出版日期：2021-06-13
求助人	FLLL 在 2025-02-22 19:47:04 发布自广西，悬赏 10 积分
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