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![]() 在亚20nm体FinFET中,与PMOS相比,NMOS的单事件瞬态灵敏度更高
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Qian Sun; Yang Guo; Bin Liang; Ming Tao; Yaqing Chi; et al 出版日期:2023-08-29 |
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