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 A TCAD Simulation Study of Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors at the 10-nm Node 10nm节点三独立栅场效应晶体管的TCAD模拟研究
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Patsy Cadareanu; Pierre‐Emmanuel Gaillardon 出版日期：2021-08-01 |
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