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标题
An equivalent circuit model of HCI effect for short-channel N-MOSFET
短沟道N-MOSFET HCI效应的等效电路模型
相关领域
MOSFET 跨导 香料 饱和电流 信道长度调制 阈值电压 电压 电子工程 频道（广播） 等效电路 电气工程 计算机科学 工程类 晶体管
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114626
DOI
10.1016/j.microrel.2022.114626 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Junan Zhang; Jinxin Hu; Min Jiang; Yi Xiao; Tiehu Li; et al
出版日期：2022-07-20
求助人
灰灰鹤 在 2025-04-08 08:49:27 发布自安徽，悬赏 30 积分
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