Characteristics of surface mount low barrier silicon Schottky diodes with boron contamination in the substrate–epitaxial layer interface

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标题	Characteristics of surface mount low barrier silicon Schottky diodes with boron contamination in the substrate–epitaxial layer interface 衬底——外延层界面硼污染的表面贴装低势垒硅肖特基二极管特性相关领域外延基质（水族馆）图层（电子）硅材料科学光电子学肖特基势垒二极管肖特基二极管硼接口（物质）污染化学纳米技术复合材料地质学润湿有机化学海洋学生物坐滴法生态学
网址	https://doi.org/10.1088/0268-1242/27/5/055007
DOI	10.1088/0268-1242/27/5/055007 doi
其它	期刊：Semiconductor science and technology 作者：D. Pal; David Hoag; Margaret Barter 出版日期：2012-04-03
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